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La nueva tecnología mejorará el desempeño y la eficiencia en el consumo de energía de futuras plataformas de Intel

SANTA CLARA, California, 26 de enero del 2006 – Intel Corporation anunció hoy que se ha convertido en la primera compañía en lograr un hito importante en el desarrollo de tecnología de lógica de 45 nanometros (nm). Intel ha producido lo que se cree son los primeros chips de SRAM (Static Random Access Memory) completamente funcionales utilizando la tecnología de proceso de 45 nm, su proceso de manufactura de semiconductores de alto volumen de la siguiente generación. 

Alcanzar este hito significa que Intel está en vías de manufacturar chips con esta tecnología en el 2007 con obleas de 300 mm, y continúa el enfoque de la compañía en llevar al máximo los límites de la Ley de Moore, introduciendo una nueva generación de proceso cada dos años. Hoy día, Intel encabeza la industria en la producción en volumen de semiconductores utilizando la tecnología de proceso de 65 nm, con dos plantas de manufactura que producen chips de 65 nm en Arizona y Oregon y dos más que se inaugurarán este año en Irlanda y Oregon. “Ser el primero con producción de alto volumen con tecnología de proceso de 65 nm y el primero con un chip funcional de 45 nm destaca la posición de liderazgo de Intel en tecnología y manufactura de chips”, señaló Bill Holt, vicepresidente y gerente general del Grupo de Tecnología y Manufactura de Intel. 

“Intel tiene un largo historial de traducir los avances en tecnología en beneficios tangibles que las personas aprecian. Nuestra tecnología de 45 nm sentará las bases para ofrecer PCs con desempeño mejorado por watt, lo que optimizará la experiencia del usuario”. La tecnología de proceso de 45 nm de Intel hará posibles chips con más de cinco veces menos fugas de energía que los que se producen hoy. Esto prolongará la vida de la batería de dispositivos móviles e incrementará las oportunidades para construir plataformas más compactas y poderosas. El chip de SRAM de 45 nm tiene más de 1,000 millones de transistores. 

Aunque no está diseñado como producto de Intel, el chip de SRAM demuestra desempeño de la tecnología, producción de proceso y confiabilidad del chip antes de la producción en volumen de procesadores y otros chips lógicos utilizando el proceso de manufactura de 45 nm. Es un primer paso clave en la marcha hacia la manufactura de alto volumen de los dispositivos más complejos del mundo. Además de las capacidades de manufactura de su planta D1D en Oregon, donde ya se encuentran en curso los esfuerzos iniciales con el desarrollo de 45 nm, Intel ha anunciado dos fábricas de alto volumen de producción en construcción para la manufactura de chips utilizando la tecnología de proceso de 45 nm: Fab 32 en Arizona y Fab 28 en Israel.

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